無塵無氧烘箱在晶圓級封裝工藝的應用
晶圓級封裝工藝流程：
1、涂覆第一層聚合物薄膜，以加強芯片的鈍化層，起到應力緩沖的作用。聚合物種類有光敏聚酰亞胺（PI）、苯并環丁烯（BCB）、聚苯并惡唑（PBO）。
2、重布線層（RDL）是對芯片的鋁/銅焊區位置重新布局，使新焊區滿足對焊料球最小間距的要求，并使新焊區按照陣列排布。光刻膠作為選擇性電鍍的模板以規劃RDL的線路圖形，最后濕法蝕刻去除光刻膠和濺射層。
3、涂覆第二層聚合物薄膜，是圓片表面平坦化并保護RDL層。在第二層聚合物薄膜光刻出新焊區位置。
4、凸點下金屬層（UBM）采用和RDL一樣的工藝流程制作。
5、植球。焊膏和焊料球通過掩膜板進行準確定位，將焊料球放置于UBM上，放入回流爐中，焊料經回流融化與UBM形成良好的浸潤結合，達到良好的焊接效果。
以上聚合物薄膜工藝中的PI/BCB/PBO聚合物固化過程中無塵無氧烘箱是必要的生產設備。
無塵無氧烘箱技術要求：
溫度范圍：RT+50～350/450/550℃
工作室尺寸(cm)：W50×D50×H50；可定制
氧含量指標：≤ 50ppm ，實時檢測
潔凈度：class100/1000
控溫方式：曲線升溫模式；
控溫段數：多段數，多工藝；
氮氣控制：可調式氮氣流量計，全程通氮氣。
輔助降溫：風冷/水冷等快速降溫裝置
真空無塵無氧烘箱
溫度范圍：RT+50～350/450/550℃
工作室尺寸(cm)：W50×D50×H50；可定制
氧含量指標：≤ 50ppm，實時檢測
潔凈度：class100/1000
控溫方式：曲線升溫模式；
控溫段數：多段數，多工藝；
氮氣控制：可調式氮氣流量計，全程通氮氣。
輔助降溫：風冷/水冷等快速降溫裝置
真空度：1torr
真空泵：渦旋無油泵
